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中国企业自主研发的内存芯片亮相美国

2018-08-09 11:00:58  来源:参考消息网  评论:0

参考消息网8月9日报道韩媒称,中国半导体企业清华紫光推出自主研发的内存芯片,将在美国硅谷首次公开。中美贸易战之下,中国半导体企业宣布进军市场。

据韩国《朝鲜日报》网站8月7日报道,据悉,清华紫光的子公司长江存储(YMTC)从8月7日(当地时间)出席美国《美国的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)》,公开32层、64层3D NAND。YMTC的CEO杨士宁7日作主旨演讲,介绍新产品。

中国产NAND将提高产量

报道称,YMTC此次公开的NAND当中,32层产品将于下半年进入试产阶段。目前三星和SK海力士生产的是96层、72层产品。半导体业界认为,企业技术水平上,韩国比中国领先3年。

报道称,YMTC透露,新产品使用的是3D NAND架构创新技术Xtacking,有效提高了数据处理速度。

报道称,YMTC计划先在位于武汉的工厂进行生产,后将在南京建厂,从明年开始提高产量。中国的NAND进入市场已成为不可阻挡的趋势,市场调查机构预测认为,NAND价格到明年将持续下降。

报道称,中国政府为2025年内存半导体自给率提高至70%,已投入资金达1000亿美元。

报道称,业界人士表示:“中国企业先攻占电脑等低价产品市场,日后将进入服务器等高价产品市场。”

  稿件编审:贾宝元   编辑:新媒体部

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